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IXFN140N30P中文资料

IXFN140N30P图片

IXFN140N30P外观图

  • 大小:116KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:Polar™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 70A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:14800pF @ 25V
  • 功率 - 最大:700W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装:SOT-227B
  • 包装:管件

IXFN140N30P供应商

更新时间:2023-01-22 08:59:36
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